国产半导体设备新星拓荆科技10月29日科创板上会

作者: 徐志平
2021-10-25 {{format_view(25252)}}
国产半导体设备新星拓荆科技10月29日科创板上会

集微网消息 10月25日,据笔者查询得知,拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”)将于10月29日首发上会。

据了解,拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列,已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线,并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

据拓荆科技介绍,公司是国内唯一一家实现产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商,以前后两任董事长为核心的五名国家级海外高层次专家组建起一支国际化的技术团队,形成了三大类半导体薄膜设备产品系列,先后四次承担国家重大科技专项/课题,被中国半导体行业协会评为2016年度、2017年度、2019年度“中国半导体设备五强企业”。

该公司表示,自设立以来立足自主创新,通过对薄膜沉积设备核心技术的构建,产品在实现薄膜性能参数的同时,满足了综合生产成本相对较低的商业经济性指标。公司凭借长期技术研发和工艺积累,打破国际厂商对国内市场的垄断,与国际寡头直接竞争。目前公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

据介绍,公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线。其中,PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线SiO2、SiN、SiON、BPSG、TEOS等多种通用介质材料薄膜沉积工序,并具备向更先进技术节点拓展的延伸性。基于现有PECVD产品平台,公司研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺,拓宽公司PECVD产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。

客户方面,其产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线。(校对/Wenbiao)

责编: 邓文标
拓荆科技 IPO上会

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