【突破】中国科大6G滤波器研发取得重大突破;ASML新一代EUV光刻机飙升至27亿元;珠海澳大科技研究院微电子研发中心新址启用

作者: 爱集微
2022-05-22 {{format_view(7456)}}
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【突破】中国科大6G滤波器研发取得重大突破;ASML新一代EUV光刻机飙升至27亿元;珠海澳大科技研究院微电子研发中心新址启用

1、喜讯!中国科大6G滤波器研发取得重大突破

2、珠海澳大科技研究院微电子研发中心新址启用

3、拜登抵韩参观三星,此举宣告韩美“技术同盟”启动

4、宁波晶创科技项目开工,打造车规级晶体晶振全产品线、集成电路模组研发制造基地

5、ASML新一代EUV光刻机飙升至27亿元

1、喜讯!中国科大6G滤波器研发取得重大突破

近日,中国科学技术大学(以下简称“中国科大”)网站对外发布,中国科大在6G滤波器领域取得重要进展。该研究成果由微电子学院左成杰教授研究团队在铌酸锂(LiNbO3)压电薄膜上设计并实现了Q值超过100000的高频(6.5 GHz)微机电系统(MEMS)谐振器,与文献中现有的工作相比,把Q值提升了2个数量级。

其中,左成杰教授为论文通讯作者,微电子学院博士生戴忠斌为论文第一作者。此项研究工作得到了国家重点研发计划和中央高校基本科研基金的资助,也得到了中国科大微电子学院、中国科大微纳研究与制造中心、中国科大先进技术研究院和中国科学院无线光电通信重点实验室的支持。

据悉,相关成果以“Ultra HighQLithium Niobate Resonator at 15-Degree Three-Dimensional Euler Angle”为题于5月16日在线发表在电子器件领域知名期刊IEEE Electron Device Letters上。

研究人员提出了一种基于三维欧拉角α在x-cut单晶铌酸锂压电薄膜上设计并制备高频MEMS谐振器的方法。通过设计谐振器的电极结构,工作于6.5 GHz的S1振动模态被激发,并且当声波传播方向(α)位于15°时,谐振器并联谐振频率(fp)处的品质因数(Qp)高达131540,对应的谐振器优值k2·Qp和fp·Qp分别达到6300和8.6×1014Hz(图1)。

图1.新型MEMS谐振器结构设计及性能测试:(a)三维欧拉角的定义;(b)制备的谐振器SEM照片;(c)15°谐振器导纳曲线测试结果

如图2所示,与近10年其它的工作在类似频段的谐振器比较,该新型MEMS谐振器把Q值提升了2个数量级,并且首次突破了谐振频率与Q值乘积(f·Q)这一难以同步提升的谐振器优值极限。更重要的是,相关工作成功发现了利用三维欧拉角可以对铌酸锂薄膜介电损耗和声学损耗进行调控的新机理,为未来微纳器件在高频无线通信、医学超声成像、智能信息处理和物联网传感器等应用领域打开了更多的可能性。

图2.新型MEMS谐振器与近10年其它铌酸锂谐振器Q值的比较

(校对/七七)

2、珠海澳大科技研究院微电子研发中心新址启用

集微网消息,5月20日,澳门大学在横琴粤澳深度合作区创意谷举行“珠海澳大科技研究院微电子研发中心新址启用仪式”。

图片来源:横琴在线

澳门大学消息称,按照布局,澳门大学将以科技创新发展为主导,通过微电子研发中心构建特色芯片设计、测试和检测的微电子产业链,聚焦集成电路产业形态、产业布局,实现研发成果转移转化落地,助力合作区构建技术创新和转化中心,为澳门、珠海以高标准、高质量建设未来科技城贡献新动力。

澳门大学校长宋永华在致辞时表示,微电子研发中心新址的启用,将进一步提升该中心的成果转化能力和公共服务水平,为合作区构建特色芯片设计、测试和检测的微电子产业链添砖加瓦。澳大将充分整合现有科研实力,以“模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室”为科技主体,以珠研院微电子研发中心为创新载体,承担微电子领域前沿技术研究与成果转移转化工作,为合作区建设“中国芯”国际化的“桥头堡”助力。(校对/小如)

3、拜登抵韩参观三星,此举宣告韩美“技术同盟”启动

集微网消息,据韩联社报道,当地时间5月20日下午,美国总统拜登同韩国总统尹锡悦访问位于韩国京畿道平泽的三星电子半导体工厂。

图片来源:韩联社

三星电子平泽工厂面积相当于400个足球场,是全球规模最大的半导体工厂。据悉,三星电子介绍了采用全环绕栅极架构(Gate-All-Around FET,GAA)的3纳米半导体试制品,该产品即将在全球首次投入量产。此前三星电子已宣布,将投资170亿美元,在美国德州泰勒市新建晶圆代工厂。

韩联社报道指出,此举被评价为宣告韩美技术同盟启动。该工厂是三星电子新一代半导体的前哨基地,分析认为,韩美领导人视察工厂旨在凸显两国互为半导体伙伴的形象。(校对/Winfred)

4、宁波晶创科技项目开工,打造车规级晶体晶振全产品线、集成电路模组研发制造基地

集微网消息,近日,宁波晶创科技项目正式开工。

图片来源:北仑发布

该项目总投资约5亿元,用地约37亩,将建设面向车规级的晶体晶振全产品线、集成电路模组等电子元器件的研发制造基地。项目规划建设期两年,建成投运后第一个完整年度可实现销售额约4亿元。

北仑发布消息显示,2020年,晶体晶振供货商宁波台晶锚定车载电子元器件,在北仑成立宁波晶创科技有限公司。台晶电子作为国内唯一一家进入国内外车厂供应链的晶体晶振供货商,产品应用于计算机、手机、数码相机等消费类电子领域。当前,企业项目技术水平处于全球领先,可广泛应用于汽车电子领域,全国市场预计将在2025年达到1200亿元,将有助于实现进口替代、填补国内技术空缺。

(校对/Winfred)

5、ASML新一代EUV光刻机飙升至27亿元

据路透社报道,半导体设备巨头ASML的新一代High-NA EUV设备订价约4亿美元,折合27亿人民币。据悉该设备精密度更高、所使用的零部件更多,机型比上一代大出30%,大小如同双层巴士。

为克服技术挑战,ASML正与全球最大的微电子研发机构IMEC共同建立测试实验室。据悉,ASML原型机将在2023年上半年完成。

ASML对外表示,2021年第四季度已收到5个预定High-NA EUV的订单。

荷兰的ASML公司是全球光刻机领域的翘楚,也是全球唯一一家极紫外光微影技术光刻机的公司。ASML推进的High-NA 曝光技术正是延续摩尔定律的关键所在。

芯片先进工艺实现的关键在于制造晶圆的半导体设备,光刻机是半导体设备中技术难度最高、成本最大的设备。当前半导体的工艺制程已经推进到3纳米,台积电正在向1纳米冲击。而要实现这些先进工艺,则离不开高端的光刻机。

在全球代工领域,台积电、三星是全球唯二的两家在先进工艺制程较量的半导体制造巨头,ASML高端光刻机也是双方今后一比高下的武器。不难判断,台积电、三星是ASML该高端光刻机的首批客户。

(校对/七七)


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