【登陆】炬芯正式登陆科创板!TWS耳机芯片将掀起怎样浪潮;芯动首款国产4K级高性能GPU发布;从原理到实例:GaN为何值得期待?

作者: 爱集微
2021-11-30 {{format_view(12257)}}
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【登陆】炬芯正式登陆科创板!TWS耳机芯片将掀起怎样浪潮;芯动首款国产4K级高性能GPU发布;从原理到实例:GaN为何值得期待?

1、炬芯科技正式登陆科创板!TWS耳机芯片市场又将掀起怎样浪潮

2、从原理到实例:GaN为何值得期待?

3、芯动科技首款国产4K级高性能GPU发布!“风华1号”多项核心技术全球先进

4、乐鑫科技:公司已发布ESP-WiFi-MESH、ESP-BLE-MESH两种组网技术

5、小米在武汉设立全资公司,注册资本为20亿人民币

6、湖南福芯微电子签约落地长沙


1、炬芯科技正式登陆科创板!TWS耳机芯片市场又将掀起怎样浪潮

集微网消息,近年来,随着5G时代到来,物联网产业也实现了快速发展,实现万物互联的多个场景中,终端产品都离不开语音交互,拉升智能音频SoC市场需求的作用力仍在持续加大。

表现最为突出的,莫过于TWS耳机市场。

根据咨询机构Canalys的报告显示,2020年全球TWS耳机总出货量约2.5亿台,预计2021年,全球TWS耳机出货将达约3.5亿台;而2022年到2024年期间,TWS耳机市场则继续稳步增长,出货量有望突破5亿。据其预测,2020年至2024年,TWS耳机的年复合增长率约为19.8%,远超可穿戴设备6.7%的年复合增长率。

蓝牙主控芯片作为TWS耳机核心部件,在TWS耳机市场的持续扩张中也迎来一波发展红利。蓬勃的产业前景,让大批企业趋之若鹜;几年间,涉足智能音频SoC领域的厂商数不胜数。伴随而来的,还有愈发激烈的市场竞争环境。

顺势而上的前提

那么在当前的局面中,什么样的企业才能够在风口上起飞?

在日新月异的消费电子市场上,诞生一个爆款产品或许只需要短短几年;但对于产业链而言,想要抓住爆款产品所带来的机遇却需要持续的积累。作为TWS耳机产业链中的一员,炬芯科技股份有限公司(下称“炬芯科技”)在音频产品市场积累已近20年。

据悉,炬芯科技长期以来深耕以音频编解码、模数混合多媒体处理、电源管理和高速模拟接口为核心的低噪声、低功耗、高音质音频全信号链技术,以及以蓝牙射频、基带和协议栈技术为核心的低功耗无线连接技术。迄今为止,该公司所拥有的发明专利超过230项。前期的深厚积累,也是其进入TWS耳机市场后能够迅速占领一席之地的决定性因素之一。

回望炬芯科技的发展,集微网得知其在向蓝牙音频领域发展初期,无线通信技术其实是经历了一个迅速建立的过程,并在研发上投入了非常大的精力。也正是得益于此,炬芯科技在很短时间内就快速实现了无线通信技术的自主研发。

从外界角度看,炬芯科技进入TWS耳机市场的时间与这一领域兴起的时间虽然相比市场稍有滞后,但从技术积累的角度来看,该公司其实早在2017年的时候就有做一些TWS耳机相关的产品,并且不断的迭代升级。但其TWS技术早已进入研发和提升的过程,音频技术更是拥有近20年的深厚积累。

众所周知,“小型化”基本上已经成为所有消费电子终端产品一项共同的诉求,TWS耳机也不例外,而实现小型化与产品电池续航一直存在着类似“鱼和熊掌”的两难选择。为了尽可能两者兼顾,终端品牌更加重视芯片设计厂商降低产品功耗的能力。同样,续航能力也是用户选择TWS耳机产品的重要标准。

从炬芯科技蓝牙耳机产品线来看,其每一代产品与上一代产品相比,在降低功耗这方面都有很大的提升。包括在一些其他的音频类产品线中,该公司也都不断在升级产品降低功耗的能力。2020年初,蓝牙技术联盟已正式向公众推出了蓝牙 5.2 版本,同时还发布了基于该版本的新一代蓝牙音频技术标准——LE Audio;对此,炬芯科技也在现有基础上继续对产品进行一个“高音质、低功耗”相结合的规划。此后的蓝牙5.3版本,炬芯科技的产品更是率先通过认证蓝牙5.3认证。

基于以上技术发展演进,炬芯科技在进入TWS耳机市场后不久就迅速获得了品牌客户的认可。

据集微网了解,炬芯科技在TWS耳机市场目前已经进入了部分手机品牌、电商品牌及互联网品牌的供应链,如传音、realme、摩托罗拉、倍思、喜马拉雅、网易云音乐、百度等。  

在取得这些成绩后,炬芯科技却并没有停下前进的脚步。

去年8月,炬芯科技正式在广东证监局办理了辅导备案登记,经历了一年的冲刺,2021年10月19日,炬芯科技科创板IPO注册获证监会同意。

11月29日,炬芯科技正式登陆科创板。证券简称:炬芯科技,股票代码:688049。发行价格为42.98元/股,挂牌当日涨幅一度超过103%,截止发稿,炬芯科技总市值达103亿元。

缺一不可的布局

面对愈发激烈的市场竞争环境,除了前期的技术经验积累,企业对后期产品、产能及市场的布局也是决定其能否浇灌出硕果的重要因素。在具备了更加多元化的融资途径后,炬芯科技各个方面的实力也将进一步提升。

据悉,目前该公司现有蓝牙音频SoC、便携式音视频SoC芯片、智能语音交互SoC芯片三大主要产品线,分别可应用于蓝牙音箱、蓝牙耳机、语音遥控器、会议语音终端、智能手表等多个领域。

从其招股书披露的内容可以看到,炬芯科技在此基础上还展开了更完善的布局。资料显示,炬芯科技本次募集到的资金将主要用于智能蓝牙音频芯片升级及产业化项目、面向穿戴和IoT领域的超低功耗MCU研发及产业化项目及研发中心建设项目。

针对智能蓝牙音频芯片升级及产业化项目,此项目将进行基于蓝牙5.3的新一代蓝牙标准,包括低功耗蓝牙音频技术、ANC(主动噪声消除技术)、多麦 ENC(环境噪声消除技术)、低延时蓝牙传输技术以及蓝牙广播音频技术等,开发包括蓝牙音箱、蓝牙耳机在内的多款芯片产品,实现公司在蓝牙应用领域长远的战略目标。

在面向穿戴和IoT领域的超低功耗MCU研发及产业化项目建设中,炬芯科技计划以提升设备续航能力为核心,以低功耗技术为主要切入点,开发基于电池供电的智能穿戴和IoT领域低功耗MCU,并重点耕耘超低功耗MCU、低功耗穿戴式显示技术等相关技术,结合新一代双模蓝牙 5.3 技术,开发新一代蓝牙智能手表SoC芯片和超低功耗MCU芯片。

而研发中心建设项目,则是炬芯科技为后期芯片的快速迭代提供技术储备。该公司在招股书中提到,项目建设完毕,公司的通信技术会在蓝牙通信技术的基础上横向拓展,实现对WiFi6通信技术的支持,扩大产品的市场应用空间。同时,智能语音算法引擎、基于先进工艺的超低功耗技术的开发将大幅提升如智能穿戴、智能家居等设备的性能,并在提升客户使用体验感的同時仍能不断降低功耗,延长穿戴设备的电池寿命以及物联网通信的续航时间。

随着研发投入进一步加大,技术持续升级,公司的产品竞争力也将不断提升,为市场份额的增长奠定坚实的基础。从该公司投建的几个项目来看还能够发现,此后炬芯科技的产品体系也在加速完善,实现更多元化的发展,通过面向更丰富的应用场景从而为公司业绩增长注入新的动能。

当产品和市场不断突破的同时,炬芯科技对于产能的管控也有比较独到的办法。

Design for Capacity,是炬芯科技面对当下产业变局所开创的一种芯片产品设计理念,而这一理念的贯彻,也使其在眼下这个时间节点上能建立起相对稳定和完善的供应体系。全球半导体产能正处于紧缺的背景下,这一点显得尤为重要。

结合当前的产业现状来看,炬芯科技之所以能够有一定的产能保障,首先是Design for Capacity这个理念所形成的风险控制能力;其次是得益于与多家晶圆厂都建立起长期且稳定的合作关系;再次是公司本身对需求的预测有严格的规范,基本会提前一年把销售预测给到供应商。基于以上三个方面,使其能在现下还保持相对稳定的供应情况。

炬芯科技董事长兼CEO周正宇博士在之前的一次演讲中也曾表示:“在当前复杂组合因素的影响下,整个产业面临着史无前例的产能挑战,而与此同时,我们却面临着科技高速发展带来的需求端强劲增长。面对未来产能紧张的‘新常态’,IC设计企业需要及时调整经营策略及设计理念,在传统的功能、性能、功耗、成本等设计维度之上引入Design for Capacity这一新维度,最大化单片晶圆所带来的商业价值。”

综上来看,炬芯科技对于之后的产品布局更加侧重于在现有基础上发挥所长,进一步凸显产品的高性能、连接稳定性、可靠性、低功耗等特质;同时搭建稳健的供应体系,以应对高速增长的市场需求;最后在产品的推广上,炬芯科技也将产品面向更广阔的市场,通过加强对业界先进技术的储备,实现在物联网、智能穿戴、智能家居等新兴领域建立新的业绩增长点。

2、从原理到实例:GaN为何值得期待?

    功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。在功率半导体的发展路径中,功率半导体从结构、制程、技术、工艺、集成化、材料等各方面进行了全面提升,其演进的主要方向为更高的功率密度,更小的体积,更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面,从硅Si材料逐渐向氮化镓(GaN)等宽禁带材料升级,使得功率器件体积和性能均有显著提升。

    那么什么是第三代半导体GaN呢?它是由氮和镓组成的一种半导体材料,由于其禁带宽度大于2.2eV, 因此又被称为宽禁带半导体材料。

表一  GaN与Si的关键特性对比

    表一对比了GaN和Si的几种物理参数,不可否认,GaN展现出了更好的性能优势,主要分为以下四点:

    1、禁带宽度大宽禁带使材料能够承受更高温度和更大的电场强度。器件在工作温度上升时, 本征激发的载流子浓度也不会很高, 因此能够应用到更高温度的特殊环境下。

    2、高击穿电场:GaN本身的击穿场强为3.3E+06,约是Si的11倍,同样耐压条件下,GaN耗尽区展宽长度可以缩减至Si的0.1倍,大大降低了漂移区电阻率,以获得更低的Ron和更高的功率性能。

    3、高电子饱和漂移速率:在半导体器件工作过程中,多数是利用电子作为载流子实现电流的传输。高电子饱和漂移速率可以保证半导体器件工作在高电场材料仍然能保持高的迁移率,进而有大的电流密度,这是器件获得大的功率输出密度的关键所在。这也是GaN材料最明显优势所在。

    可以看到,表格中GaN的电子迁移率并不高,为什么称之为高电子迁移率晶体管呢?原因在于GaN&AlGaN因为材料特性在界面感应形成的二维电子气(2DEG), 2DEG在2-4nm薄薄的一层中存在且被约束在很小的范围,这种限域性使得电子迁移率增加到1500~2000cm²/(V·s)目前技术已经使电子迁移率达到2200 cm²/(V·s)。

    4、良好的耐温特性:可以看到,GaN和Si的热导率基本差异不大,但是GaN可以比Si能拥有更高的结温。因此,同时良好的热导率加上更高的热耐受力共同提升了器件的使用寿命和可靠性。

    GaN器件优越的性能也其器件结构有极大的关系。目前,产业化的GaN器件在走的两种路线是P-GaN方式的增强型器件和共源共栅两种结构,两种结构市场上声音不同,大家仁者见仁。

图1 主流GaN的两种结构

    由于GaN器件对寄生参数极其敏感,因此相较于传统的Si基半导体器件的驱动电路,GaN的驱动要求更为严苛,因此对其驱动电路的研究很有意义。在实际的高压功率GaN器件应用过程中,我们用GaN器件和当前主流的SJ MOSFET在开关特性和动态特性上做了一个对比,更详细的了解其差异所在。

表二  GaN 器件DC参数

    从上图GaN晶体管的DC参数可以看到,其在直流参数上,没有反向二极管(0 Reverse Recovery),主要原因在于GaN晶体管没有SJ MOSFET的寄生PN结。此外,两者在直流参数以及Vth等也有着不小的区别,同规格情况下,GaN晶体管比SJ MOS有着更小的饱和电流以及更高的BV值,这也是受限于其芯片面积和无雪崩能力的特殊特性;同时更低的驱动电压和栅极电荷Qg,造就了其高频低损的优良开关特性。

图2  GaN&Si电容特性对比

    从器件的电容上看到,SJ MOSFET的电容在50V内非线性特征明显,同时整体的电容值要比GaN器件大很多(结电容是GaN的3倍)。这是因为,二维电耦合型的SJ器件虽然比平面MOS拥有着更小的器件面积,但由于其依靠靠PN结的横向耗尽来实现抗耐压,因此PN结的接触面积要大很多,在器件D-S间电压较低时,PN结内建电场形成的接触面造成了其初始Coss&Crss等参数要比D-S高电压状态大几个量级;同时器件从不完全耗尽到全耗尽状态,器件空间电荷区展宽,导致了CGD和CDS在电容曲线上出现突变点。这种电场在很窄电压范围的突变,也恰恰影响着工程师们关注的EMI问题,如何去优化使其曲线变缓成为多家设计公司的特色工艺。

图3   硅器件Cgd突变 

    然而GaN的出现,却轻松的解决了该问题,GaN的电容曲线变化相对在一个较小的范围,且不存在突变,因此在电源应用的EMI调试过程,效果优于SJ MOSFET。接近线性的Coss,使得应用开关过程dv/dt的波形更接近一个没有弧度的斜线让其变得优雅。

 图4  GaN反激Vds开关上升沿

    较低的结电容也使得器件的能量等效电容(Coer)和Eoss远小于同规格SJ MOS器件,使得电源在硬开关过程中的容性损耗大大减小,能够显著减少器件发热;与此同时,在电源软开关过程中达到ZVS所抽取的结电容电荷更少,使得系统拥有更高的开关频率和更小的死区时间,进一步的减小系统体积。

图五  GaN&Si器件Eoss和Coer差异

    随着GaN的高效率得到实际验证,市场对于GaN的信心逐渐增强,优势日益显著以及用量不断增长,未来功率GaN技术将成为高效率功率转换的新标准。以下是维安新推出的E-Mode GaN器件,欢迎大家前来索样并与维安的专家讨论其特性。

表三   维安GaN晶体管新品列表

3、芯动科技首款国产4K级高性能GPU发布!“风华1号”多项核心技术全球先进

集微网消息,随着计算处理需求急速攀升,GPU除了原本的视频加速、2D/3D游戏应用之外,越来越多地用于服务器、人工智能、边缘计算、矿机、汽车等领域的衍生需求。在“云化”计算加速的现在,GPU成为了专用计算时代的刚需,在算力经济、AI、中美博弈等因素的推波助澜下,国内GPU创业融资领域正呈现出前所未有的光景。

11月26日,芯动科技发布首款国产高性能4K级显卡GPU芯片“风华1号”,并通过现场多项4K级重度渲染演示,揭开了这款集众多自主技术创新、备受瞩目的国产GPU芯片的神秘面纱。

芯动云计算总裁敖海介绍,“风华1号”单芯片A卡渲染能力达到160GPixel/秒,FP32浮点性能达到5T FLOPS;3D图形渲染处理管线定制优化,支持Linux/龙芯/Windows/安卓操作系统图形框架,同时支持4路4K@60、16路1080P@60fps或32路720P@30fps,集渲染+低延迟编解码+AI计算于一体;AI性能为25TOPS(INT8);芯片支持32路SRIOV虚拟化,内置中国专利的物理不可克隆PUF技术,保护信息安全;显存技术采用全球领先的GDDR6/GDDR6X Combo自研技术,单比特最大传输速率达到19Gbps;显存带宽最高可达304GB/s,显存容量最大可扩展至16GB;主机接口支持PCIe4.0X16,且向下兼容PCIe3.0/2.0X8;视频输出接口方面,“风华1号”配置自研HDMI2.1/DP1.4/VGA等超高清接口,支持多路独立输出。

芯动云计算总裁敖海

“风华1号”还首次成功实施了中国自主标准的Innolink Chiplet多晶粒技术, 通过Innolink chiplet扩展,“风华1号”GPU显卡服务器用B卡,在A卡基础上直接性能翻倍, 渲染能力达到320GPixel/秒,FP32浮点性能达到10T FLOPS;同时支持32路1080P@60fps和64路720P@30fps强渲染+低延迟编解码+AI计算,显存达到32GB。

芯动科技在发布会现场进行了“风华1号”A卡的渲染演示,在国产CPU和操作系统桌面上办公上网、CAD设计、图形工作站、EDA设计、GIS实景地图、重度游戏benchmark、OpenGL4.0 Heaven、Vulkan框架下运行Windows游戏、多路云游戏等多种高清渲染场景下的流畅表现,实测功耗表现非常优秀,桌面4K重度渲染典型芯片功耗在20W左右,多路重度云渲染典型功耗在50W左右。

与会者参观“风华1号”演示

“风华1号”显卡实现了多个第一,如第一款渲染能力达到5T-10T FLOPS的国产GPU显卡,第一款图形API达到OpenGL4.0以上,并能实际演示4.0 benchmark的GPU,还是第一款支持多路渲染+编解码+AI服务,硬件虚拟化和chiplet可延展的国产GPU等。“风华1号”大幅提升了国产GPU的渲染能力,在5G数据中心渲染性能对标国外服务器级别显卡,效果惊艳全场。

芯动科技SoC体系架构师何颖指出,现代GPU架构已经被成千上万专利所保护,没有哪个初创公司的GPU架构是自己完全从无到有开发出来的,大家无一例外都是在一定授权基础上的开发,“那些宣称架构完全自研的初创公司,都是经不起深究的。”他强调,“我们获得授权的架构和苹果M1的GPU一样,并针对未来国产GPU生态建设和国内使用环境进一步深度定制,加上我们自研的核心技术和大量创新,确保了国产GPU持续演进和自主可控。”

厚积薄发,“风华1号”实现从0到1的突破

“风华1号”的正式发布意义重大,技术含金量高,一改过去国产显卡不好用的体验,实现了国产5G数据中心服务器GPU和4K桌面GPU这两大应用场景从0到1的突破。

芯动科技工程副总毛鸣明指出,“风华1号”大型芯片的诞生,绝非偶然,是芯动科技15年如一日,长期深耕核心技术厚积薄发的必然。“15年来芯动科技低调务实,敢为人先,攻关克难,团队十年坐得板凳冷,付出的努力和心血是难以想象的。光是行业创纪录的200多次先进工艺流片,就可见一斑。芯动连续11年细分市场遥遥领先,在重大开发投入的情况下,还能持续盈利,为各国产半导体代工厂和300家全球知名客户提供顶尖IP和芯片定制,包括中兴通讯、华为海思、瑞芯微、君正、微软、AMD、亚马逊等知名公司逾50亿颗先进SoC芯片背后,都有用到芯动技术。芯动以前是幕后英雄,在to B的圈子非常有名, 为众多客户一次流片成功并做到自主可控,成就客户,也成就了自己,芯动在长期研发中积累了GPU所需要的全套高端IP、图形芯片内核定制技术和先进工艺经验, 所以‘风华1号’能够一炮打响、性能超群。”

据悉,“风华1号”上搭载的GDDR6X顶级难度的显存技术,目前全球只有英伟达和芯动科技两家拥有。“核心技术是买不来的,英伟达的高带宽显存技术一直自研,是其保持其竞争优势和70%利润率的一大利器,芯动科技在这方面能与其并驾齐驱,确保了GPU性能和工艺量产的灵活性和性价比。”芯动科技GDDR6X研发负责人高专感慨道。

高专解释,GDDR6X的PAM4并行技术超级难做,英伟达与美光在一栋楼里共同研发两年才研发出来。而芯动团队是全球唯一一家,仅凭有限的远程技术支持,只用一年时间就做出来了。“连AMD都没有做到,所以美光的架构师都不禁感叹我们的研发实力之强,令他们印象深刻。”他强调,“事实上, 如果没有我们团队十多年的技术基础积累和200次流片打磨的经验,这个成果是无法实现的,芯动科技绝对是国内硬科技企业的代表。”

世界知名GPU图形学专家杨喜乐博士分享GPU的前世今生

全球GPU芯片领域从几何物理渲染到计算引擎领域的知名专家、芯动首席算法科学家杨喜乐博士指出,GPU研发绝不像互联网的同质化竞争,现代GPU的理论基础太深、开发应用坑太多了,技术发展日新月异,竞争极其激烈。要拿出一款对标行业先进水平的图形GPU,且流畅兼容各种应用,绝不是一朝一夕的事,对团队紧密协作能力要求很高,必须踏踏实实地长期市场化打磨,靠PPT烧钱只会是死路一条。没有一个跨多领域和有大量流片交付经验的复合型技术团队,不懂GPU底层算法架构和软硬件创新,不能根据实际情况和自身实力长期潜心持续演进架构和开发,不可能在这个领域成功。

“风华1号的诞生,倾注了数百名芯动GPU工程师的心血,其中凝聚了芯动自有的众多技术积累和来自世界著名GPU公司的顶尖人才的联合参与,风华1号仅仅是个开始,风华2号和3号已经在路上了”。杨喜乐表示。

前AMD图形框架开发领军人物、芯动DX团队负责人张涛表示,明年就会发布风华显卡Windows操作系统的DX框架。

敖海表示,芯动科技的使命是让风华GPU走进千家万户,让大家习惯用国产的GPU办公和娱乐。“‘风华1号’是芯动人努力和成果的结晶,这只是风华系列GPU赋能国产生态的开始。芯动正在加紧与合作伙伴进行‘风华1号’适配调优,在向数据中心和国产桌面GPU 等合作伙伴送样的同时,新一代GPU芯片已经在路上了。”

先进工艺的强悍迭代能力是芯动的固有优势,芯动科技将依靠自有IP和定制能力以及代工厂合作伙伴的支持,不断演进先进技术,确保性能持续领先、供应链安全和优势性价比。“我们计划在未来三年里持续每年量产两颗以上、性能不断大幅度提升的GPU芯片, 并满足用户的定制需求。明年初‘风华2号’和‘风华3号’将接踵而至, 2022年我们计划投片5纳米加光追技术,赋能国产GPU产业链我们志在必得,请大家拭目以待”。”敖海宣布。

结语

“风华1号”的诞生正当其时, 填补了国产4K级桌面显卡和服务器显卡两大空白,支持国产新基建5G数据中心、桌面、元宇宙、云游戏、云桌面等千亿级产业。“风华1号”是芯动赋能国产GPU生态链的开始,期待在不就的将来,国产高性能GPU能走进千家万户,使全球用户都能在办公、娱乐中体验科技带来的流畅和快乐!

4、乐鑫科技:公司已发布ESP-WiFi-MESH、ESP-BLE-MESH两种组网技术

集微网消息,11月29日,乐鑫科技在投资者互动平台表示,公司已发布ESP-WiFi-MESH、ESP-BLE-MESH两种组网技术。

乐鑫科技补充,ESP-WiFi-MESH是其自研的组网技术,能够提供一个易于部署、自动组网并自我修复的网络。它无需部署Wi-Fi基础设施,就能在更大范围内部署节点,基于这种网络拓扑结构,它最多可以扩展到1000个节点。ESP-BLE-MESH是乐鑫科技开源的蓝牙mesh协议栈,已通过蓝牙技术联盟 (SIG) 全功能认证,支持Bluetooth Mesh Specification v1.0.1中规定的所有功能与应用模型。使用ESP-BLE-MESH技术,可以和全球不同厂商、不同类型的标准蓝牙mesh设备互相通信,协同工作。目前,乐鑫科技的组网技术广泛应用于智能家居、智能照明、智能工业等领域。

据了解,乐鑫科技是一家专业的物联网整体解决方案供应商,采用 Fabless 经营模式,其主营业务是从事物联网通信芯片及其模组的研发、设计及销售,主要产品有ESP8089系列芯片、ESP8266系列芯片、ESP32系列芯片、ESP8266系列模组、ESP32系列模组。目前,乐鑫科技在物联网Wi-Fi MCU通信芯片领域具有领先的市场地位。

资料显示,乐鑫科技于今年4月份推出搭载 RISC-V MCU的 ESP32-C6芯片,并首次支持Wi-Fi 6功能,预计将于2022年量产。乐鑫科技称,ESP32-C6的独特之处在于提供了对2.4 GHz Wi-Fi 6协议 (802.11ax) 的支持,并向下兼容802.11 b/g/n。为优化和提升物联网设备性能,ESP32-C6支持802.11ax 的仅20 MHz信道带宽工作模式,以及802.11b/g/n协议的20/40 MHz带宽。此外,802.11ax还支持Station工作模式,为设备提供更高的传输速率和更低的功耗。

目前,乐鑫科技的产品主打处理+连接功能,在连接方面已不局限于Wi-Fi连接技术,还包括了低功耗蓝牙和Zigbee/Thread,产品品类也从WiFi MCU扩展至Wireless MCU这个更大的范围。乐鑫科技表示,公司是在不断成长发展、积极投入研发的,公司的软件平台也在不断更新发布新的应用框架,软硬件一体化是公司的特色。未来,乐鑫科技还将继续丰富扩大产品矩阵,为开发者们提供更好的产品体验。

5、小米在武汉设立全资公司,注册资本为20亿人民币

集微网消息,近日,天眼查显示,武汉壹捌壹零企业管理有限公司于2021年11月24日成立,注册资本为20亿人民币,法定代表人为林世伟,经营范围包括企业管理;企业管理咨询;信息咨询服务。

据悉,该公司由小米科技有限责任公司全资持股。

资料显示,截至2021年11月17日,小米已经投资并购了761家公司,其中,北京是小米在国内的重点布局区域,而在海外市场上,印度则是小米布局关注的重点地区。

今年,小米在造车领域的布局成为行业关注焦点。今年3月,小米宣布进军智能汽车领域,9月,小米汽车公司正式成立。

据《证券时报》报道,小米科技与北京经济技术开发区管委会在11月27日正式签订《合作协议》,宣告小米汽车落户北京经开区。据介绍,小米智能汽车项目将涵盖小米汽车总部基地和销售总部、研发总部,将分两期建设年产量30万辆的整车工厂。其中,一期和二期产能分别为15万辆,两期累计年产达30万辆,预计2024年首车将下线并实现量产。10月19日,小米召开的2021年集团年度投资者会议上,雷军就已经透露了小米汽车首个工厂的具体选址就是北京亦庄。当时,小米汽车的研发团队已正式到岗453人。

据了解,为了弥补自动驾驶方面技术短板,小米通过投资、并购+内生孵化并进的方式,投资了多家公司。据国金证券统计,截至到2021年9月底,小米投资布局有关智能汽车领域企业共有62家,其中智能驾驶布局17家企业,智能电动布局13家企业,智能座舱布局6家企业,其中有22家企业是2021年新增投资。

6、湖南福芯微电子签约落地长沙

集微网消息,近日,湖南福芯微电子有限公司落地签约仪式在长沙经开区管委会举行。

据湖南日报报道,湖南福芯微电子有限公司(筹)总经理邢万荣表示,公司将致力于LED驱动芯片、快充电源芯片,及8位、32位通用MCU产品的研发、设计,产品将广泛应用于消费电子、家庭智能、工业智能场景。未来公司将立足长沙,辐射长三角、珠三角地区,支持终端客户获得更高的设计到市场的端到端效率。



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